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1. 标准4或8清洗腔体配置，多腔高产能，皆可独立设定参数
2. 8、12吋晶圆，于同设备兼容作业
3. 各清洗腔皆配置独立的FFU，转速调整与差压监控
4. 晶圆清洗外观不能有水渍、斑点、刮痕、色差与残留(≧50nm)
5. 药液由常温提高到65℃(Max.)，持温控制在±1.5℃
6. 晶圆蚀刻均匀性≦10%。
7. 设备于无尘室占地面积小与耗能少，生产成本CoO低
8. 水、气配管空间规划，方便维修与保养
9. 腔体的制程、配方与各功能参数汇集上传，符合半导体SECS/GEM与EAP作业要求
10. 可选配SEMI S2 & S8，第三方认证
