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1. 标准4或8蚀刻腔体配置，多腔高产能，皆可独立设定参数
2. 8、12吋晶圆，于同设备兼容作业
3. 可对应高翘曲晶圆，±5mm
4. 各蚀刻腔皆配置独立的FFU，转速调整与差压监控
5. 设备于无尘室占地面积小与耗能少，生产成本CoO低
6. 蚀刻腔体气密性优，可抑制酸/碱气体外漏
7. 蚀刻药液流量精确控制
8. 废液排放，蚀刻腔体可对药液与水进行切换，可分开排废液
9. 蚀刻药液的回收率＞95%
10. 水、气配管空间规划，方便维修与保养
11. 腔体的制程、配方与各功能参数汇集上传，符合半导体SECS/GEM与EAP作业要求
12. 可选配对应蚀刻药液，例如Cu、Ti、TiW、Au、AL等蚀刻液
13. 可选配药液喷嘴、去离子水喷嘴、去离子水背洗与氮气干燥等，蚀刻工艺方式
14. 可选配SEMI S2 & S8，第三方认证
