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1. 8、12吋晶圆，于同设备兼容作业
2. 可对应高翘曲晶圆，±5mm
3. 温度范围 RT~200℃ / 450℃
4. 腔体洁净度＞Class 100
5. 含氧量控制≤20ppm
6. 可进行104片晶圆同时制程
7. 4个腔体可设定不同制程条件，同时运作
8. 可同时对应13/25层FOUP，UI自动切换
9. 设备于无尘室占地面积小与耗能少，生产成本CoO低
10. 软件搭配重复上料功能，单个腔体可上料并记录超过12个料盒
11. 配方与各功能参数汇集上传，符合半导体SECS/GEM与EAP作业要求
12. 可选配AGV/OHT系统，完全取代传统烘箱，并可节省两次分片制程时间
13. 可选配SEMI S2 & S8或CE，第三方认证
